一、濕電子化學(xué)品簡(jiǎn)述

濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、互聯(lián)等）制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學(xué)品按用途可分為通用化學(xué)品 （又稱超凈高純?cè)噭┖凸δ苄曰瘜W(xué)品（以光刻膠配套試劑為代表）。

1. 超凈高純?cè)噭?/p>

一般要求化學(xué)試劑中控制顆粒的粒徑在0.5μm以下，雜質(zhì)含量低于ppm級(jí)，是化學(xué)試劑中對(duì)顆粒控制、雜質(zhì)含量要求最高的試劑。

2. 功能性化學(xué)品

指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品。功能性化學(xué)品一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。

從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，超凈高純?cè)噭┬枨罅空急冗_(dá)88%，功能性化學(xué)品占比達(dá)12%。其 中，超凈高純?cè)噭┲?，占比較大的依次是，硫酸、雙氧水、氨水、氫氟酸、異丙醇、硝酸以及磷酸; 功能性化學(xué)品中，占比較大的依次是，半導(dǎo)體用顯影液、刻蝕液、面板用顯影液、剝離液以及緩沖刻蝕液。

濕電子化學(xué)品下游行業(yè)多為半導(dǎo)體、顯示面板、太陽能電池等技術(shù)密集型行業(yè)，按照應(yīng)用領(lǐng)域不同，對(duì)產(chǎn)品的純度、潔凈度也有不同要求，本文僅以半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)槔M(jìn)行簡(jiǎn)析。

一、在晶圓制造過程中，濕電子化學(xué)品主要用于清洗顆粒、有機(jī)殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物。

二、通過蝕刻液與特定薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，獲得器件的結(jié)構(gòu)。

三、濕電子化學(xué)品也應(yīng)用于后段高端封裝領(lǐng)域的清洗、濺射、黃光、蝕刻等工藝環(huán) 節(jié)。

半導(dǎo)體對(duì)濕電子化學(xué)品的微量金屬雜質(zhì)含量、顆粒粒徑和數(shù)量、陰離子雜質(zhì)含量等方面有嚴(yán)格要求。根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕電子化學(xué)品集中在SEMI G3、G4水平，且集成電路線寬越窄，所需標(biāo)準(zhǔn)越高 

四、后段高端封裝領(lǐng)域-芯片封裝清洗

芯片封裝清洗：合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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