功率半導(dǎo)體三大細(xì)分行業(yè)市場規(guī)模及格局介紹

1.功率二極管市場

二極管市場集中度低。二極管是最早出現(xiàn)的功率半導(dǎo)體，第一代二極管距今已經(jīng)有100多年的歷史。與其他功率半導(dǎo)體相比，二極管的技術(shù)壁壘較低，市場上二極管廠商數(shù)量眾多。二極管市場相對分散，市場集中度較低。二極管制造已經(jīng)非常成熟，注重生產(chǎn)成本和質(zhì)量的控制。我國二極管生產(chǎn)企業(yè)大多是IDM模式，對質(zhì)量控制比較嚴(yán)格，加上勞動(dòng)力成本較低，二極管廠商具有較強(qiáng)的競爭力，國內(nèi)市場參與者眾多，在2014年就已率先實(shí)現(xiàn)了貿(mào)易順差。

2.MOSFET市場

MOSFET，屬于電壓控制器件，MOSFET主要特點(diǎn)就是驅(qū)動(dòng)電路簡單，驅(qū)動(dòng)功率低，開關(guān)速度快，高頻特性好，最高工作頻率可以達(dá)到1MHz以上，適用于開關(guān)電源和高頻感應(yīng)加熱等高頻場合，且安全工作區(qū)廣，沒有二次擊穿問題，耐破壞性強(qiáng)。但是MOSFET也因?yàn)殡娏魅萘啃。蛪旱?，飽和壓降高，不適用于大功率裝臵。目前 MOSFET主要應(yīng)用于電壓低1000V，功率從幾瓦到數(shù)千瓦的場合，廣泛應(yīng)用于充電器，適配器，電機(jī)控制，PC 電源，通信電源，新能源發(fā)電，UPS，充電樁等場合。

大陸廠商MOSFET市占率較低，國產(chǎn)替代空間廣闊。中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，我國MOSFET市場規(guī)模2018年為470.70億元，歐美廠商占據(jù)絕大多數(shù)市場份額，市場集中度較高：英飛凌在國內(nèi)市場份額為28.50%，排名第一，安森美以17.10%市場份額位列第二，排名前五的均為老牌歐美日大廠，CR5為65%。安世半導(dǎo)體國內(nèi)市場份額為3.90%，位列第八，士蘭微以1.90%市場份額位列第十，安世半導(dǎo)體與士蘭微市場份額合計(jì)為5.80%，國產(chǎn)替代空間廣闊。中國是全球最大的消費(fèi)電子生產(chǎn)國，對中低壓 MOSFET 需求較大。

3.IGBT功率器件市場

IGBT，屬于電壓控制器件，是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件。IGBT結(jié)合了BJT和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，既有MOSFET的開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，是未來應(yīng)用發(fā)展的主要方向。IGBT從封裝形式分類可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品：IGBT分立器件：單芯片封裝，一個(gè) IGBT單管和一個(gè)反向并聯(lián)二極管組成的器件，電流通常在100A 以下，結(jié)構(gòu)相對簡單，封裝體積較小，但是缺點(diǎn)也很明顯，接線復(fù)雜，可靠性低，分布電感較大；IGBT模塊是將多個(gè)（兩個(gè)及以上）IGBT 芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，進(jìn)行模塊化封裝。IPM即智能功率模塊，就是將功率器件和驅(qū)動(dòng)電路、過壓和過流保護(hù)電路、溫度監(jiān)視和超溫保護(hù)電路等外圍電路集成在一起生產(chǎn)的一種“組合”型器件。

4.功率半導(dǎo)體器件清洗

功率半導(dǎo)體器件清洗

為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件功率半導(dǎo)體器件密切相關(guān)。

目前，大量的功率半導(dǎo)體器件仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足功率半導(dǎo)體器件清洗。對此，合明提出新型的功率半導(dǎo)體器件清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗功率半導(dǎo)體器件凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗功率半導(dǎo)體器件模塊。

推薦使用合明科技水基清洗劑，針對電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗(yàn)，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

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