光刻膠:半導(dǎo)體關(guān)鍵材料,光刻膠產(chǎn)業(yè)格局全梳理
光刻膠:半導(dǎo)體關(guān)鍵材料,光刻膠產(chǎn)業(yè)格局全梳理
光刻膠是精細(xì)化工行業(yè)技術(shù)壁壘最高的材料,被譽(yù)為電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”。
光刻膠在芯片制造材料成本中的占比高達(dá)12%,是繼大硅片、電子氣體之后第三大IC制造材料,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料。得益于技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷進(jìn)步以及存儲(chǔ)器層數(shù)的增加,半導(dǎo)體光刻膠需求持續(xù)增長。
TECHCET預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模同比增長7.5%達(dá)到近23億美金。2021年至2026年,半導(dǎo)體光刻膠市場年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)為5.9%,其中增速最快的產(chǎn)品是EUV和KrF光刻膠。
半導(dǎo)體光刻膠分產(chǎn)品市場規(guī)模(百萬美金):
資料來源:TECHCET
一、光刻工藝概覽
在大規(guī)模集成電路的制造過程中,光刻和刻蝕技術(shù)是精細(xì)線路圖形加工中最重要的工藝,決定著芯片的最小特征尺寸。
光刻工藝是一種多步驟的圖形轉(zhuǎn)移工藝,大部分工藝都包含十多個(gè)步驟,除去涂膠、曝光和顯影三個(gè)關(guān)鍵步驟外,光刻工藝還包括清洗硅片、預(yù)烘和打底膠、對準(zhǔn)、曝光后烘烤、堅(jiān)膜、刻蝕、離子注入、去除光刻膠等步驟。
在光刻工藝中,掩膜版上的圖形被投影在光刻膠上,激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),再經(jīng)過烘烤和顯影后形成光刻膠圖形,而光刻膠圖形作為阻擋層,用于實(shí)現(xiàn)選擇性的刻蝕或離子注入。
集成電路光刻和刻蝕工藝流程:
資料來源:晶瑞電材
二、光刻膠行業(yè)概覽
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種感光材料,在光的照射下發(fā)生溶解度的變化,可以通過曝光、顯影及刻蝕等一系列步驟將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上。
摩爾定律推動(dòng)光刻膠技術(shù)加速迭代,隨著科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展、產(chǎn)品不斷迭代,半導(dǎo)體中晶體管的密度與其性能每18至24個(gè)月翻1倍。
光刻膠經(jīng)歷了紫外寬譜(300~450nm)、G線(436nm)、I線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等一系列技術(shù)平臺(tái),從技術(shù)上經(jīng)歷了環(huán)化橡膠體系、酚醛樹脂-重氮萘醌體系及化學(xué)放大體系。
在設(shè)備、工藝與材料的共同作用下,分辨率從幾十微米發(fā)展到了現(xiàn)在的10nm。
根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、PCB光刻膠、LCD光刻膠及其他。
目前,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的主要是中低端PCB光刻膠。
受益于顯示面板、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移和國內(nèi)企業(yè)技術(shù)突破,LCD和半導(dǎo)體光刻膠已形成一定的國產(chǎn)替代基礎(chǔ),未來發(fā)展空間廣闊。
三、光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈
光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈比較長,從上游的基礎(chǔ)化工行業(yè)、一直到下游電子產(chǎn)品消費(fèi)終端,環(huán)環(huán)相扣。
由于上游產(chǎn)品質(zhì)量對最終產(chǎn)品性能影響重大,常采用認(rèn)證采購的模式,上游供應(yīng)商和下游采購商通常會(huì)形成比較穩(wěn)固的合作模式。
光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈上游
生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
從光刻膠成本占比來看,樹脂占比最大約50%,其次是添加劑占比約35%,剩余成本合計(jì)占比約15%。
樹脂
隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻膠不斷更新?lián)Q代,從早期的聚乙烯醇肉桂酸酯、環(huán)化橡膠-疊氮化合物紫外負(fù)性光刻膠,發(fā)展到G 線(436nm)和I 線(365nm)酚醛樹脂-重氮萘醌類紫外正性光刻膠,再到KrF(248nm)和ArF(193nm)化學(xué)增幅型光刻膠、再到真空紫外(157nm),極紫外(13. 5nm)、電子束等下一代光刻技術(shù)用光刻膠。
正性光刻膠可分為非化學(xué)放大型與化學(xué)放大型光刻膠兩大類,其中非化學(xué)放大型光刻膠主要以重氮萘醌(DNQ)-酚醛樹脂(Novolac)光刻膠為主,并主要應(yīng)用于g線和i線光刻工藝中。
全球光刻膠樹脂供應(yīng)商主要有住友電木、日本曹達(dá)及美國陶氏等,我國光刻膠企業(yè)使用的樹脂90%以上依賴進(jìn)口。高純光刻膠樹脂單體是中國光刻膠實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的核心壁壘之一。
由于中低端市場行業(yè)壁壘較低,酚醛樹脂行業(yè)集中度不高,我國產(chǎn)能10萬噸以上企業(yè)僅5家,其中,樹脂龍頭圣泉新材料占比23%。
光引發(fā)劑
光引發(fā)劑發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的產(chǎn)物可以改變樹脂在顯影液中的溶解度,幫助完成光刻過程。
一般光引發(fā)劑的使用量在光固化材料中占比為3%-5%,但由于光引發(fā)劑價(jià)格相對昂貴,其成本一般占到光固化產(chǎn)品整體成本的10%-15%。
光引發(fā)劑行業(yè)存在一定技術(shù)壁壘,行業(yè)格局向頭部企業(yè)集中,整體市場形成寡頭壟斷格局。
目前在國際市場光引發(fā)劑企業(yè)基本形成了以巴斯夫、意大利Lamberti、IGM Resins 等大型跨國企業(yè)為主的寡頭局面。
隨著Lamberti 被IGM Resins 兼并,優(yōu)勢趨勢日益增強(qiáng),這些企業(yè)擁有較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品創(chuàng)新研發(fā)和應(yīng)用研發(fā)實(shí)力。
近年來產(chǎn)業(yè)鏈出現(xiàn)向中國轉(zhuǎn)移趨勢,一方面中國目前已經(jīng)成為光引發(fā)劑終端應(yīng)用市場如手機(jī)、家電、電路板等行業(yè)的最大應(yīng)用市場,另一方面關(guān)鍵產(chǎn)品的化合物專利到期,中國生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的迅速提高,海外光引發(fā)劑產(chǎn)能未能有效擴(kuò)大,國內(nèi)光引發(fā)劑產(chǎn)業(yè)開始蓬勃發(fā)展。
在國內(nèi),光引發(fā)劑生產(chǎn)企業(yè)從最初幾百家,經(jīng)過十多年充分市場競爭后,集中趨勢日益明顯。
目前行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)包括久日新材、揚(yáng)帆新材、強(qiáng)力新材、固潤科技等、北京英力(已被IGM Resins 收購)等。
光引發(fā)劑生產(chǎn)過程污染較大,隨著國家環(huán)保監(jiān)管要求加強(qiáng),中小產(chǎn)能已陸續(xù)退出,而新增產(chǎn)能建設(shè)周期較長,導(dǎo)致國內(nèi)光引發(fā)劑供給不足,未來行業(yè)新增產(chǎn)能將主要集中于龍頭企業(yè),行業(yè)集中度仍將持續(xù)提高。
全球光引發(fā)劑廠商及重點(diǎn)產(chǎn)品:
資料來源:廣發(fā)證券
上游材料廠商中,容大感光光刻膠產(chǎn)品主要包括紫外線正膠、紫外線負(fù)膠兩大類產(chǎn)品以及稀釋劑、顯影液、剝離液等配套化學(xué)品,主要應(yīng)用于平板顯示、發(fā)光二極管及集成電路等領(lǐng)域。
同益股份主要是從韓國引進(jìn)丙烯酸樹脂、KISCO 光引發(fā)劑、DKC 光敏劑以及色漿等產(chǎn)品,主要應(yīng)用于 LCD-TFT 正性光刻膠等中高端市場,公司不進(jìn)行光刻膠生產(chǎn)制造,不具備光刻膠自主生產(chǎn)能力。
強(qiáng)力新材主要從事電子材料領(lǐng)域各類光刻膠專用電子化學(xué)品(分為光引發(fā)劑、樹脂)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)貿(mào)易業(yè)務(wù)。
四、光刻膠市場格局
全球光刻膠市場主要被JSR、東京應(yīng)化、杜邦、信越化學(xué)、住友及富士膠片等制造商所壟斷,尤其是在半導(dǎo)體光刻膠的高端的KrF和ArF領(lǐng)域,市場集中度更高。
前六大廠商中除了杜邦為美國廠商之外,其他均為日本廠商。
當(dāng)前背景下,先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)開發(fā)速度略有放緩,國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,國產(chǎn)化需求為中國企業(yè)帶來發(fā)展機(jī)遇。
在較為低端的g/i線光刻膠領(lǐng)域,CR4為74%,但在KrF光刻膠領(lǐng)域的CR4為85%,ArF光刻膠領(lǐng)域的CR4為83%,兩者均超過83%以上。
中國公司除少數(shù)公司覆蓋g/i光刻膠外,在更高的光刻膠領(lǐng)域基本都處于客戶驗(yàn)證甚至只是研發(fā)階段,任重而道遠(yuǎn)。
當(dāng)前國內(nèi)光刻膠企業(yè)多分布在技術(shù)難度較低的PCB光刻膠領(lǐng)域,占比超9成,而技術(shù)難度最大的半導(dǎo)體光刻膠市場,國內(nèi)僅有彤程新材(北京科華)、華懋科技(徐州博康)、南大光電、晶瑞電材和上海新陽等少數(shù)幾家。
產(chǎn)業(yè)鏈上下游布局相關(guān)公司還包括雅克科技、永太科技、江化微、芯源微、七彩化學(xué)、萬潤股份、世名科技、華特氣體、新萊應(yīng)材、盛劍環(huán)境、廣信材料、八億時(shí)空、晶瑞電材、飛凱材料等。
隨著國外大廠斷供造成國內(nèi)光刻膠供需短缺持續(xù)緊張,以及半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全問題日益嚴(yán)重,光刻膠的國產(chǎn)替代的窗口逐步打開。國產(chǎn)光刻膠有望從0到1實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,逐步導(dǎo)入供應(yīng)鏈,國內(nèi)大廠有望抓住國產(chǎn)替代窗口進(jìn)入上升的拐點(diǎn)。
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