IGBT的主要參數(shù)及IGBT的優(yōu)缺點

今天小編帶你一起了解一下IGBT的主要參數(shù)及IGBT的優(yōu)缺點，希望能對你有所幫助！

一、IGBT的主要參數(shù)

1、集電極-發(fā)射極額定電壓UCES是IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓，一般UCES小于或等于器件的雪崩擊穿電壓。

2、柵極-發(fā)射極額定電壓UGE是IGBT柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，通常為20V。柵極的電壓信號控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷，其電壓不可超過UGE。

3、集電極額定電流IC是IGBT在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下，允許持續(xù)通過的最大電流。

4、集電極-發(fā)射極飽和電壓UCE是IGBT在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下，集電極與發(fā)射極之間的電壓降。該值越小，則管子的功率損耗越小。

5、開關(guān)頻率在IGBT的使用說明書中，開關(guān)頻率是以開通時間tON、下降時間t1和關(guān)斷時間tOFF給出的，根據(jù)這些參數(shù)可估算出IGBT的開關(guān)頻率，一般可達30～40kHz。在變頻器中，實際使用的載波頻率大多在15kHz以下。

二、IGBT的優(yōu)缺點

優(yōu)點：

1、具有更高的電壓和電流處理能力。

2、極高的輸入阻抗。

3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。4、電壓控制裝置，即它沒有輸入電流和低輸入損耗。

5、柵極驅(qū)動電路簡單且便宜，降低了柵極驅(qū)動的要求

6、通過施加正電壓可以很容易地打開它，通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關(guān)閉它。

7、具有非常低的導(dǎo)通電阻。

8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。

10、具有比 BJT 更高的開關(guān)速度。

11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。

12、雙極性質(zhì)，增強了傳導(dǎo)性。

13、安全可靠。

缺點：

1、開關(guān)速度低于 MOS管。

2、因為是單向的，在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。

3、不能阻擋更高的反向電壓。

4、比 BJT 和 MOS管價格更高。

5、類似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu)，因此它存在鎖存問題

以上是關(guān)于IGBT的主要參數(shù)及IGBT優(yōu)缺點的相關(guān)內(nèi)容，希望能您你有所幫助！

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