一、半導(dǎo)體封裝技術(shù)的現(xiàn)狀及動(dòng)向

1 芯片保護(hù)

隨著 21 世紀(jì)信息技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，半導(dǎo)體內(nèi)部搭載多個(gè)芯片甚至多芯片封裝以及封裝內(nèi)系統(tǒng)或系統(tǒng)封裝等技術(shù)進(jìn)一步普及與發(fā)展，伴隨著大規(guī)模集成電路封裝技術(shù)逐步朝著小型化、薄型化方向理論體系的進(jìn)一步成熟，半導(dǎo)體封裝技術(shù)在遵從傳統(tǒng)模式下嚴(yán)格狀態(tài)的氣密性封裝，向現(xiàn)階段更加簡(jiǎn)易、便于操作的樹脂型封裝技術(shù)方向發(fā)展，而隨著大規(guī)模集成電路封裝尺寸的進(jìn)一步縮小和半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)一步成熟，半導(dǎo)體封裝技術(shù)除了滿足傳統(tǒng)模式下半導(dǎo)體封裝的保護(hù)芯片要求、運(yùn)行可靠性要求等基本要求外，更應(yīng)將半導(dǎo)體搭載于母板結(jié)構(gòu)降低其應(yīng)力緩沖以及保證半導(dǎo)體搭載連接可靠性。

2 電氣功能的實(shí)現(xiàn)

隨著近年來電源接地系統(tǒng)穩(wěn)定層穩(wěn)定要求的進(jìn)一步拔高，為最大限度降低半導(dǎo)體運(yùn)行過程中電流感應(yīng)、直流電阻甚至寄生電容等對(duì)半導(dǎo)體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的影響，應(yīng)盡可能地發(fā)揮半導(dǎo)體封裝過程中的電器功能。在此過程中，半導(dǎo)體電氣信號(hào)布線應(yīng)隨著輸入和輸出端子數(shù)的進(jìn)一步增加盡可能縮短布線長(zhǎng)度，實(shí)現(xiàn)電源接地系統(tǒng)的阻攔和抗擊匹配，降低系統(tǒng)中電感、直流電阻甚至寄生電容等的不良影響。因此，為實(shí)現(xiàn)大規(guī)模集成電路中電氣功能目標(biāo)，在以設(shè)計(jì)為主導(dǎo)的戰(zhàn)略觀念的支持下，充分考慮大規(guī)模集成電路的回路設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)應(yīng)用，研究搭載封裝技術(shù)的模板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證半導(dǎo)體電氣功能的圓滿達(dá)成。

3 通用性及封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步成熟和完善，未來封裝技術(shù)中平面陣列端子型封裝技術(shù)將成為半導(dǎo)體封裝的常用技術(shù)，而隨著半導(dǎo)體材料應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓寬，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的多樣化與復(fù)雜性增強(qiáng)，僅依賴傳統(tǒng)模式下的平面陣列端子型封裝技術(shù)并不能滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的多樣化要求。例如，當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)檢查時(shí)，利用平面陣列端子的電氣接觸技術(shù)，將半導(dǎo)體安裝于母板后對(duì)待連接的部位進(jìn)行檢查，但現(xiàn)階段薄型封裝技術(shù)中的拾取技術(shù)并不能滿足其基本要求，因此，對(duì)封裝技術(shù)中的拾取技術(shù)進(jìn)行深入分析是未來半導(dǎo)體封裝通用性以及封裝界面標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展的重要趨勢(shì)。同時(shí)，關(guān)于半導(dǎo)體封裝后端子節(jié)距、封裝尺寸以及封裝材料等的創(chuàng)新，甚至半導(dǎo)體與模板實(shí)裝界面的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)等，都應(yīng)是未來半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展的重要內(nèi)容。

4 散熱冷卻功能

進(jìn)一步探究半導(dǎo)體芯片性能可知，大規(guī)模集成電路中的特性線寬要求在日益發(fā)達(dá)的現(xiàn)代信息社會(huì)即將進(jìn)入亞 0.1nm 時(shí)代，因此，為確保先進(jìn)芯片的性能能夠滿足智能化社會(huì)發(fā)展目標(biāo)，對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能預(yù)測(cè)進(jìn)行探究，在未來的半導(dǎo)體發(fā)展過程中，幾乎所有電子設(shè)備使用大規(guī)模集成電路的功耗都將進(jìn)一步增加，而大規(guī)模集成電路的功能大約在 2~3w 以上，此時(shí)需在半導(dǎo)體封裝技術(shù)應(yīng)用過程中增加散熱片或增加熱沉，以此增加半導(dǎo)體散熱冷卻功能。在5~10W 以上時(shí)，則必須采取強(qiáng)制冷卻手段，保證半導(dǎo)體散熱冷卻功能的正常發(fā)揮。當(dāng)半導(dǎo)體功能損耗值在 50~100W 以上時(shí)，則應(yīng)該采取空冷技術(shù)?？傊?，上述所有散熱冷卻技術(shù)在未來一段時(shí)間內(nèi)都將是半導(dǎo)體封裝技術(shù)的重要發(fā)展方向。

二、半導(dǎo)體封裝清洗：

合明科技所有水基清洗劑都在研發(fā)初期對(duì)材料安全環(huán)保、清洗工藝、材料兼容性、清洗設(shè)備差異性等有充足的考慮并確定為技術(shù)目標(biāo)，為后續(xù)的開發(fā)提供技術(shù)要求和市場(chǎng)運(yùn)用提供保障。如合明科技用于攝像頭模組清洗的堿性水基清洗劑具有優(yōu)異的清洗能力，對(duì)頑固性污染物或殘留物有效清洗，縮短清洗時(shí)間提高生產(chǎn)效率，能適應(yīng)多種清洗工藝如超聲、噴淋、離心等；寬域的清洗對(duì)象窗口，能清洗各種規(guī)格、結(jié)構(gòu)的元器件；并具有良好的材料兼容性。如用于PCBA清洗的中性水基清洗劑具有優(yōu)異的材料兼容性（對(duì)半導(dǎo)體各元器件、敏感膜材、字符標(biāo)識(shí)、銅、鋁等金屬材料），良好的環(huán)保適應(yīng)性（使用失效后的清洗劑易被環(huán)境吸收降解，對(duì)環(huán)境無危害），良好的使用安全性（水基材料不燃不爆，對(duì)操作人及設(shè)備無腐蝕性）。

基于豐富、專業(yè)、專注的電子化學(xué)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)、追求技術(shù)價(jià)值的執(zhí)著精神和高度的社會(huì)責(zé)任感，合明科技成立了半導(dǎo)體封裝行業(yè)水基清洗劑研發(fā)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)。團(tuán)隊(duì)以公司多年積累的水基清洗劑研發(fā)技術(shù)作為研發(fā)基礎(chǔ)，吸收國內(nèi)外前沿的水基清洗理論、引進(jìn)先進(jìn)的水基清洗技術(shù)、剖析國外同類產(chǎn)品性能特點(diǎn)并結(jié)合公司多年豐富的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)歷時(shí)多年無數(shù)次實(shí)驗(yàn)調(diào)整和苛刻的驗(yàn)證測(cè)試，現(xiàn)已初步推出適用于半導(dǎo)體封裝行業(yè)的兩大類型水基清洗劑：半導(dǎo)體封裝行業(yè)中性水基清洗劑和堿性水基清洗劑。清洗劑已在部分半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)通過了初步驗(yàn)證，達(dá)到或接近國外同類水基清洗劑的品質(zhì)要求。為更好的滿足國內(nèi)半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)的應(yīng)用需求，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)將再接再厲提高技術(shù)、完善產(chǎn)品，助力國家對(duì)半導(dǎo)體發(fā)展的整體計(jì)劃。

以上便是半導(dǎo)體封裝清洗,半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展階段介紹，希望可以幫到您！