IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。

可靠的散熱設(shè)計(jì)與通暢的散熱通道，可以快速有效地減少模塊內(nèi)部熱量，以滿足模塊可靠性指標(biāo)的要求。

目前，車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊一般采用液冷散熱，而液冷散熱又分為間接液冷散熱和直接液冷散熱。

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為：芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。

即芯片為發(fā)熱源，熱量主要通過(guò)DBC基板、平底散熱基板、導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)至液冷板，液冷板再通過(guò)液冷對(duì)流的方式將熱量排出。

上圖顯示了導(dǎo)熱硅脂在 IGBT 典型應(yīng)用中的作用。

硅芯片被焊接到直接鍵合銅 (DBC) 層上，該層由夾在兩個(gè)銅層之間的氮化鋁層組成。該 DBC 層焊接到銅底板上，導(dǎo)熱硅脂用作于底板和散熱器之間的界面。導(dǎo)熱硅脂的厚度可達(dá)100微米（粘合線厚度或BLT），并且根據(jù)配方，它的導(dǎo)熱系數(shù)在0.4到10W/m·K之間。

目前高端市場(chǎng)的導(dǎo)熱硅脂基本上被國(guó)外壟斷，國(guó)內(nèi)硅脂很少能和國(guó)外硅脂PK，主要的一個(gè)原因是國(guó)內(nèi)的導(dǎo)熱硅脂熱阻相對(duì)高于國(guó)外的導(dǎo)熱硅脂的熱阻，所以很難進(jìn)入高端市場(chǎng)。

我們要具體的了解導(dǎo)熱硅脂，我們可以先了解兩個(gè)比較重要的參數(shù)。

導(dǎo)熱系數(shù)：是指在穩(wěn)定傳熱條件下，1m厚的材料，兩側(cè)表面的溫差為1度（℃），在1小時(shí)，通過(guò)1平方米面積傳遞的熱量，單位為瓦/米·度（W/m·K)；導(dǎo)熱系數(shù)越高，導(dǎo)熱能力就越強(qiáng)。

熱阻：當(dāng)熱量在物體內(nèi)部以熱傳導(dǎo)的方式傳遞時(shí)，遇到的阻力稱為熱阻；兩款相同導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱硅脂，熱阻越低，導(dǎo)熱效果越好。

IGBT功率器件清洗

為應(yīng)對(duì)能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問(wèn)題，世界各國(guó)均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對(duì)這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對(duì)此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

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