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Co - EMIB下一代封裝技術:一種創(chuàng)新的芯片封裝技術與先進封裝清洗介紹

合明科技 ?? 1781 Tags:Co - EMIB技術先進封裝-芯片封裝清洗

Co - EMIB下一代封裝技術:一種創(chuàng)新的芯片封裝技術

一、Co - EMIB技術的基本定義

Co - EMIB(Combined Embedded Multi - Die Interconnect Bridge)是英特爾推出的一種先進的芯片封裝技術。它是EMIB(Embedded Multi - Die Interconnect Bridge,嵌入式多芯片互連橋接)和Foveros(一種3D芯片堆疊版本)封裝技術的結合體。

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EMIB技術在2D封裝方面具有優(yōu)勢,能夠實現高帶寬、低功耗,并提供相當有競爭力的I/O密度。Foveros技術則側重于3D封裝,例如通過芯片堆疊等方式集成存儲器和處理器等。而Co - EMIB技術整合了兩者的優(yōu)勢,能夠將多個3D Foveros芯片拼接在一起,制造出更大的芯片系統(tǒng),并且能夠提供堪比單片的性能和互連能力。

從互連的角度來看,在傳統(tǒng)的芯片封裝中,芯片之間的連接方式往往存在帶寬、功耗、密度等方面的局限。而Co - EMIB技術在這些方面有所突破。例如,在帶寬密度方面(以線路數據速率乘以線路密度即IO/mm的數量的乘積,以GBps/mm表示),EMIB封裝技術能夠將IO密度提高到256 - 1024IO/mm/層,這為Co - EMIB技術提供了良好的基礎,使其在實現芯片間高速通信方面具備潛力。同時,與傳統(tǒng)的串行互連的DDR(Double Data Rate,雙倍速內存)接口相比,類似High Bandwidth Memory(HBM)這種并行互連技術具有更低的延遲和更低的功耗,這也是Co - EMIB技術在構建高性能芯片系統(tǒng)時所利用的特性,它能夠滿足高密度芯片之間的互連需求,使得芯片之間的數據傳輸更加高效、快速且穩(wěn)定。

二、Co - EMIB技術的原理

在Co - EMIB技術中,關鍵在于實現多個芯片元件之間的有效連接。它能夠讓兩個或多個Foveros元件互連,達到近似單晶片的性能。這一過程涉及到對芯片的精確布局和互連線路的精心設計。

以芯片之間的信號傳輸為例,Co - EMIB技術要確保在將多個芯片組合成一個更大的系統(tǒng)時,信號能夠在芯片間準確、快速地傳遞。這需要對芯片的物理布局進行優(yōu)化,使得各個芯片之間的距離、互連線路的長度等因素都能夠滿足信號傳輸的要求。例如,在考慮導線的密度、線寬、間距和鏈路長度,以及導線之間電介質的性質等方面,都需要進行精確的設計和調整,以實現高密度并行互連。這種設計能夠有效地減少信號傳輸過程中的干擾和延遲,提高整個芯片系統(tǒng)的性能。

另外,在供電方面,類似于英特爾的全方位互連技術(ODI)利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電這種方式,Co - EMIB技術也可能采用類似的高效供電策略。這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多,電阻更低,可提供更穩(wěn)定的電力傳輸,從而保證芯片在高負荷運行時能夠獲得穩(wěn)定的電力供應,避免因電力問題導致的性能下降或故障。

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三、與其他封裝技術的對比

與傳統(tǒng)的PCB集成方式相比,傳統(tǒng)的PCB集成在芯片封裝上相對較為分散,各個芯片之間的連接往往需要通過較長的線路在電路板上進行連接,這會導致信號傳輸的延遲增加,帶寬相對受限,并且在實現小型化方面存在困難。而Co - EMIB技術通過將芯片進行更緊密的組合和優(yōu)化連接,大大提高了芯片之間的互連效率,減少了信號傳輸的延遲,并且能夠在更小的空間內實現更多功能的集成,使得整個芯片系統(tǒng)更加緊湊、高效。

與傳統(tǒng)的單片芯片封裝技術相比,傳統(tǒng)單片芯片封裝技術主要是針對單個芯片進行封裝,在面對日益增長的對芯片性能、成本和功率等多方面的高要求時,其局限性逐漸顯現。例如,在處理復雜的計算任務時,單個芯片的性能可能無法滿足需求,而將多個芯片進行組合封裝的Co - EMIB技術則能夠通過整合多個芯片的功能,提升整個系統(tǒng)的計算性能。同時,在成本方面,Co - EMIB技術能夠在一定程度上通過優(yōu)化芯片布局和共享部分資源,降低整體的制造成本,并且在功率管理上,利用其高帶寬、低功耗的互連特性,能夠實現更高效的能源利用,相比傳統(tǒng)單片芯片封裝技術具有明顯的優(yōu)勢。

在與其他異構封裝技術對比方面,雖然異構封裝技術都旨在讓電子元件占電路板的面積更小,并提高能源效率和性能,但Co - EMIB技術的獨特之處在于它結合了EMIB和Foveros的特點,在實現芯片的2D和3D封裝整合方面具有獨特的優(yōu)勢。例如,有些異構封裝技術可能在2D封裝或者3D封裝的某一方面表現較好,但Co - EMIB技術能夠將兩者有機結合,既能實現芯片在平面上的高效互連,又能利用3D堆疊的優(yōu)勢增加集成度,從而在整體性能上表現更為出色。

先進封裝-芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

·         這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。

·         合明科技運用自身原創(chuàng)的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

 


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