功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用市場現(xiàn)狀

1. 整體規(guī)模與增長趨勢

功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)鏈中游主要涉及該器件的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造、封裝測試等環(huán)節(jié)，下游應(yīng)用市場非常廣泛，涵蓋新能源、數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器及通信電源、工控自動化和消費電子等領(lǐng)域。2022年全球功率半導(dǎo)體（含功率器件及電源管理芯片）市場規(guī)模約為543億美元，占半導(dǎo)體市場的比例為9%；其中半導(dǎo)體功率器件281億美元。根據(jù)Omdia、Yole數(shù)據(jù)，2021 - 2025年全球半導(dǎo)體功率器件市場將由259億美元增至357億美元，年復(fù)合增速約為8.4%。

2. 主要器件類型的市場情況

(1) MOSFET

MOSFET（含模塊）2021年市場規(guī)模約為104億美元，總體趨于穩(wěn)定，至2025年，占比預(yù)計達(dá)29%。在中國市場，2021年國內(nèi)MOSFET市場規(guī)模為46.6億美元，預(yù)計到2025年將達(dá)到64.7億美元，復(fù)合增長率為8.55%，增速高于全球市場。超級結(jié)MOSFET為部分廠商銷售收入占比最大的產(chǎn)品品類，報告期各期銷售收入占比均超過70%。并且2021年中國MOSFET市場國產(chǎn)化率達(dá)到30.5%，但超級結(jié)MOSFET這一細(xì)分領(lǐng)域由于技術(shù)壁壘較高，國產(chǎn)化率僅為18.1%，低于MOSFET國產(chǎn)率平均水平，是國內(nèi)廠商未來發(fā)力的重要方向。

(2) IGBT

IGBT（含模塊）2025年市場規(guī)模將快速增至136億美元，占比約為38%，2021 - 2025年年復(fù)合增長率約為12.8%。在中國市場，根據(jù)WSTS (世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織)的數(shù)據(jù)，中國IGBT市場銷售規(guī)模2021年為238.8億元，預(yù)計至2025年仍將維持高速增長，市場規(guī)模將有望超486億元，復(fù)合增長率為19.44%。基于國家相關(guān)政策中提出核心元器件國產(chǎn)化的要求，國產(chǎn)替代成為國內(nèi)IGBT行業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動因素，預(yù)計2023年我國IGBT自給率將達(dá)到32.9%。

(3) SiC功率器件

全球SiC功率器件2025年市場規(guī)模約43億美元，2021年至2025年復(fù)合增長率約為42%。SiC半導(dǎo)體性能優(yōu)異，具有更高耐壓性和耐高溫性（其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8 - 10倍，導(dǎo)熱率是硅的3 - 5倍）、具有更高工作頻率（電子飽和漂移速率是硅的2 - 3倍）、具有更低耗能和更小尺寸（擊穿電壓提升，有更高雜質(zhì)濃度和更薄漂移層）。目前，成本高、技術(shù)難度大是限制SiC功率器件需求的主要因素，不過其平均價格在下降，與Si器件價差也在縮小，例如根據(jù)Mouser和Digi - Key的公開報價，SiC MOSFET在2022的平均價格較2020年下降了11%，與Si器件價差也縮小至2.5 - 3倍之間，隨著技術(shù)突破和成本的下降，SiC器件在各個領(lǐng)域的應(yīng)用將會增加。在中國，2021年中國碳化硅電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模已達(dá)到71.1億元。

3. 不同區(qū)域市場情況

目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了全球70%的市場份額。而在需求端，全球約有39%的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)能被中國大陸所消耗，是全球最大的需求大國，但其自給率卻僅有10%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，發(fā)展前景十分廣闊。在中國國內(nèi)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出區(qū)域發(fā)展的不平衡，雖然沒有詳細(xì)資料表明各區(qū)域市場規(guī)模占比，但可知東北地區(qū)、華北地區(qū)、華東地區(qū)、華中地區(qū)等各區(qū)域均有功率半導(dǎo)體市場相關(guān)布局，并有不同的發(fā)展特色或發(fā)展規(guī)模特點等。

功率半導(dǎo)體器件未來發(fā)展趨勢

1. 技術(shù)發(fā)展方向

(1) 模塊化與集成化

為了提高性能、降低成本并簡化設(shè)計，功率半導(dǎo)體正在朝著模塊化和集成化的方向發(fā)展。例如，將多個功率半導(dǎo)體器件集成到一個封裝內(nèi)，以實現(xiàn)更高的功能密度和更低的系統(tǒng)成本。這有助于在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，提高電子設(shè)備的性能表現(xiàn)，并減少生產(chǎn)過程中的復(fù)雜性，降低總體成本。

(2) 智能化與自動化

隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算和人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體也正朝著智能化和自動化的方向發(fā)展。通過引入這些先進(jìn)的技術(shù)，功率半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)自我診斷（可以及時檢測自身的故障或者性能下降情況）、自適應(yīng)控制（根據(jù)不同的工作環(huán)境自動調(diào)整工作模式或者參數(shù)）以及與其他設(shè)備的智能互聯(lián)（比如可以和其他相關(guān)的電子設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交互以便更好地協(xié)同工作）。智能化和自動化的功率半導(dǎo)體器件能夠提高整個系統(tǒng)的可靠性和效率，是未來智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化等復(fù)雜系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

(3) 低碳化與節(jié)能化

在全球綠色低碳的大背景下，功率半導(dǎo)體也面臨著降低能耗、提高能源利用效率的挑戰(zhàn)。因此，低功耗、高效率的功率半導(dǎo)體器件成為了未來的重要發(fā)展方向。研發(fā)和生產(chǎn)具有更低導(dǎo)通電阻、更高開關(guān)速度等特性的功率半導(dǎo)體器件，可以減少在電能轉(zhuǎn)換和控制過程中的能量損耗，滿足日益增多的節(jié)能產(chǎn)品和應(yīng)用場景的要求，如節(jié)能型家電、新能源汽車等領(lǐng)域?qū)?jié)能型功率半導(dǎo)體器件的需求持續(xù)增加。

(4) 寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩個備受關(guān)注的關(guān)鍵材料。它們具有高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)點，為功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展打開了新的空間。碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，使得碳化硅器件能夠在高溫、高壓、高頻的惡劣環(huán)境下工作，且具有較低的能量損失，在電動汽車、新能源、工業(yè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高擊穿電壓和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，在高頻、高效、高功率應(yīng)用方面具有顯著優(yōu)勢，特別適合于高頻電源和高功率射頻器件領(lǐng)域。不過在當(dāng)下，碳化硅器件的制造成本較高，良品率有待提高；氮化鎵器件在高溫和高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性還有待提高，未來需要進(jìn)一步的研究與改進(jìn)才能推動它們的廣泛應(yīng)用。

2. 產(chǎn)業(yè)政策推動發(fā)展

從政策支持來看，國家對于半導(dǎo)體行業(yè)的支持政策，包括產(chǎn)業(yè)政策、投資政策、稅收政策等，都將對功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生積極的影響，為行業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的環(huán)境。例如中國《十四五規(guī)劃》中提出的集中優(yōu)勢資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，這一規(guī)劃也為功率半導(dǎo)體行業(yè)未來的發(fā)展指明了方向。國家鼓勵本土功率半導(dǎo)體企業(yè)加大研發(fā)投入，積極發(fā)展高端功率半導(dǎo)體器件，提高國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自給率，加速實現(xiàn)國產(chǎn)替代，這將推動整個功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝著更高技術(shù)水平和更大市場規(guī)模發(fā)展。

3. 市場需求的擴(kuò)展趨勢

隨著工業(yè)自動化進(jìn)程的深入、新能源技術(shù)的發(fā)展、消費電子設(shè)備的持續(xù)更新?lián)Q代等，功率半導(dǎo)體器件的市場需求將會持續(xù)增長。如在新能源汽車領(lǐng)域，隨著電動汽車的普及，對功率半導(dǎo)體器件的需求不僅體現(xiàn)在數(shù)量上的增多，還體現(xiàn)在對更高性能、更高可靠性功率半導(dǎo)體器件的需求上；在光伏產(chǎn)業(yè)中，隨著太陽能光伏系統(tǒng)規(guī)模的不斷擴(kuò)大，功率半導(dǎo)體特別是IGBT等在光伏逆變器中的應(yīng)用需求與日俱增；在數(shù)據(jù)中心方面，為了滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求，服務(wù)器及通信電源等設(shè)備對于功率半導(dǎo)體器件的需求也不斷增加，以保證設(shè)備高效穩(wěn)定運(yùn)行等。

不同領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求分析

1. 新能源領(lǐng)域

(1) 新能源汽車

新能源汽車的發(fā)展對功率半導(dǎo)體器件有著持續(xù)增長的需求。在電動汽車中，功率半導(dǎo)體器件在電機(jī)控制、電池管理等系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。例如IGBT作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，在新能源汽車電機(jī)控制器中被廣泛應(yīng)用。它能夠根據(jù)車輛控制系統(tǒng)的指令，高效地將電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電來驅(qū)動電機(jī)，并且在制動能量回收過程中，將電機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)換為直流電回充到電池中。隨著新能源汽車朝著更高性能、更長續(xù)航里程和更快充電速度發(fā)展，對IGBT等功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提出了更高的要求，如更高的耐壓能力、更低的功耗以及更高的工作溫度范圍等。而且隨著汽車電動化趨勢加速，車規(guī)級功率器件的規(guī)格也在加速升級。據(jù)預(yù)測到2025年，中國新能源汽車所用IGBT市場規(guī)模將達(dá)到210億元。另外，MOSFET在電動交通工具的電源控制等方面也有廣泛應(yīng)用，其對模擬電路與數(shù)字電路的開關(guān)或放大功能有助于實現(xiàn)車輛電力系統(tǒng)的有效控制等。

(2) 光伏產(chǎn)業(yè)

光伏發(fā)電環(huán)節(jié)所涉及的設(shè)備中，功率半導(dǎo)體器件需求巨大。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)里，直流轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器都需要使用IGBT作為功率開關(guān)。光伏逆變器負(fù)責(zé)將光伏組件發(fā)電產(chǎn)生的直流電逆變成交流電，進(jìn)而并入交流輸電網(wǎng)或者接入家庭交流負(fù)載。在這個過程中，IGBT對實現(xiàn)逆變功能是非常關(guān)鍵的。隨著全球光伏產(chǎn)業(yè)的持續(xù)擴(kuò)張，新增光伏裝機(jī)量保持上漲，對功率半導(dǎo)體器件的需求也不斷增加。例如據(jù)估算，每GW對應(yīng)功率半導(dǎo)體的價值量約為0.3億 - 0.4億元，并且由于IGBT技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致組串式逆變器成本下降，促使其市場份額提升，從而進(jìn)一步增加對IGBT等功率半導(dǎo)體器件的需求。

(3) 風(fēng)電行業(yè)

風(fēng)機(jī)的變流器等關(guān)鍵設(shè)備需要功率半導(dǎo)體器件來實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。例如，能夠提高風(fēng)電系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性的大功率IGBT模塊在風(fēng)電設(shè)備中很是關(guān)鍵。隨著全球能源體系向光伏、風(fēng)電等低碳方向轉(zhuǎn)型，推動逆變器和變流器市場快速增長，從而使原材料端的IGBT獲益，風(fēng)電行業(yè)對于功率半導(dǎo)體尤其是IGBT需求規(guī)模也在不斷增大，預(yù)計風(fēng)電、光伏、儲能新增裝機(jī)市場對IGBT的需求規(guī)模將由2021年的86.7億美元上升至2025年的182.5億美元。

2. 數(shù)據(jù)中心與服務(wù)器及通信電源領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器設(shè)備以及通信電源等要滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲、處理和傳輸?shù)囊?。為了確保設(shè)備電源的高效轉(zhuǎn)換、穩(wěn)定運(yùn)行，并降低能耗，需要大量使用各種性能的功率半導(dǎo)體器件。隨著5G技術(shù)的發(fā)展，5G基站數(shù)量增多并且單個基站的輸出功率提高，這將為功率器件拓展新的市場空間。高性能的功率半導(dǎo)體器件可以在數(shù)據(jù)中心的能源管理系統(tǒng)中，更好地實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換（如AC/DC轉(zhuǎn)換、DC/DC轉(zhuǎn)換）和分配，減少轉(zhuǎn)換過程中的能量損失，提高數(shù)據(jù)中心的整體能效。同時在通信電源設(shè)備中，功率半導(dǎo)體器件有助于確保電源穩(wěn)定輸出，以滿足通信設(shè)備的運(yùn)行需求，保障通信系統(tǒng)的流暢性和可靠性。

3. 工控自動化領(lǐng)域

工業(yè)控制自動化過程涉及到大量的電機(jī)控制、變頻調(diào)速、自動化生產(chǎn)線能量管理等應(yīng)用場景。在這些場景中，功率半導(dǎo)體器件充當(dāng)著電力轉(zhuǎn)換和控制的核心角色。晶閘管在工控領(lǐng)域是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，可以通過接收微小信號來控制大功率的電流進(jìn)行變換，應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的整流、無觸點開關(guān)等功能；MOSFET和IGBT也在工控自動化領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代的工業(yè)自動化生產(chǎn)線上，需要使用功率半導(dǎo)體器件對電機(jī)的轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)矩等進(jìn)行精確控制，以此來提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，同時功率半導(dǎo)體器件還能根據(jù)生產(chǎn)線各個設(shè)備的實際工作需求來合理分配電能，實現(xiàn)節(jié)能降耗，所以這一領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求持續(xù)存在并且要求不斷提高其性能、可靠性和智能化水平等。

4. 消費電子領(lǐng)域

在消費電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件有著廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)。像在電腦、手機(jī)等設(shè)備中，MOSFET一般用于電源管理電路，實現(xiàn)開關(guān)或者放大功能，起到對設(shè)備電源進(jìn)行有效控制的作用，以確保設(shè)備正常運(yùn)行并且延長電池續(xù)航時間。在家用電器方面，例如空調(diào)、冰箱等，功率半導(dǎo)體器件可用于壓縮機(jī)的電機(jī)控制、溫度調(diào)節(jié)等功能。隨著智能家電不斷向著更高性能、更智能化方向發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件的需求不僅體現(xiàn)在數(shù)量上，更體現(xiàn)在其品質(zhì)、功能特性方面，如需要更低功耗、更小尺寸并且具有更高性能的功率半導(dǎo)體器件。

功率半導(dǎo)體器件市場競爭格局

1. 國際競爭格局

在國際市場方面，功率半導(dǎo)體市場被美日歐等地區(qū)的企業(yè)主導(dǎo)。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，2021年前十大功率半導(dǎo)體企業(yè)為英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝、威仕、安世半導(dǎo)體、瑞薩、羅姆。其中，排名第一的英飛凌銷售額排名第一，市占率約20%左右；安森美緊隨其后，市占率約9%左右；第3 - 10名合計市占率約30%左右。在這些企業(yè)中，日本企業(yè)表現(xiàn)突出，有半數(shù)日本企業(yè)（三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝、瑞薩、羅姆）登上榜單，五家企業(yè)的營收在過去三年內(nèi)大體保持在榜單總營收的32% - 33%左右。這些國際大型企業(yè)憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝、廣泛的銷售渠道、強(qiáng)大的品牌影響力以及良好的市場口碑，在全球功率半導(dǎo)體市場占據(jù)了大量的份額，并在高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域具有強(qiáng)大的競爭力。例如英飛凌在IPM、變頻器、中壓（風(fēng)電，地鐵）、高壓（高鐵，電網(wǎng)）、電動車、光伏等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢地位；三菱電機(jī)作為日本功率半導(dǎo)體的龍頭，其在單管、IPM、高鐵、電網(wǎng)、電動車等中高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢地位。

2. 國內(nèi)競爭格局

我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然處于起步階段，但國內(nèi)已經(jīng)涌現(xiàn)出部分優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體器件企業(yè)，像華潤微電子、揚(yáng)杰科技、士蘭微、新潔能等。在中低端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品市場方面，產(chǎn)品競爭較為激烈，國內(nèi)企業(yè)在二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET（非車規(guī)）等低端產(chǎn)品上已有一定的市場份額并且已初現(xiàn)規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對較高。然而在中高端產(chǎn)品領(lǐng)域，如SJMOSFET、IGBT、碳化硅等（特別是車規(guī)產(chǎn)品），國內(nèi)廠商由于起步晚、工藝相對復(fù)雜以及缺乏車規(guī)驗證機(jī)會等問題，多數(shù)仍處于追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線的狀態(tài)，但隨著國家相關(guān)政策支持、國產(chǎn)化替代加速及產(chǎn)業(yè)投資增加等因素影響，國內(nèi)企業(yè)也取得了一些成果，例如一些企業(yè)產(chǎn)品在部分性能上接近國際先進(jìn)水平并且正在逐步擴(kuò)大市場份額，以實現(xiàn)進(jìn)口替代為目標(biāo)在不斷努力發(fā)展。并且國內(nèi)在某些新興的功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出一定競爭優(yōu)勢，如在中國碳化硅電力電子器件應(yīng)用市場快速增長，本土企業(yè)借助本土市場優(yōu)勢以及國家政策扶持等加快發(fā)展，已具有一定競爭力，但整體的技術(shù)水平、市場份額與國際大型企業(yè)相比仍存在差距。

影響功率半導(dǎo)體器件市場前景的因素

1. 技術(shù)創(chuàng)新因素

(1) 研發(fā)能力影響產(chǎn)品性能提升

功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)創(chuàng)新對于其市場前景具有根本性的影響。企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)在功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)投入，可以推動像IGBT、MOSFET、SiC等功率半導(dǎo)體器件性能的提升。例如通過改進(jìn)制造工藝，MOSFET的線寬制程從10微米縮減至0.15 - 0.35微米，從而提升其密度、品質(zhì)因數(shù)(FOM)和開關(guān)效率等性能指標(biāo)；改進(jìn)IGBT器件結(jié)構(gòu)，能提高其在不同電壓、電流下的表現(xiàn)，滿足更多應(yīng)用場景需求。性能提升后的功率半導(dǎo)體器件能夠更好地適應(yīng)新能源汽車、光伏、風(fēng)電等行業(yè)對功率器件的高精度、高效率、高可靠性的要求，從而擴(kuò)大其市場應(yīng)用范圍和市場規(guī)模。

(2) 新材料應(yīng)用促進(jìn)市場升級

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)和應(yīng)用是影響功率半導(dǎo)體市場前景的關(guān)鍵技術(shù)因素。由于這些新材料具有優(yōu)異的電氣性能，如高耐壓、高頻率、低損耗等，能夠制造出下一代高效功率半導(dǎo)體器件。例如碳化硅器件能在高溫、高壓、高頻環(huán)境下工作且能量損失低，氮化鎵器件在高頻、高效、高功率應(yīng)用方面優(yōu)勢明顯，它們一旦突破成本控制和工藝技術(shù)這兩個關(guān)鍵瓶頸，在電動汽車、新能源發(fā)電、5G通信等領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用將開啟新的功率半導(dǎo)體市場增長極，吸引更多企業(yè)投入與市場競爭，重塑功率半導(dǎo)體器件的市場格局。

2. 政策因素

(1) 國家戰(zhàn)略扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展

國家戰(zhàn)略政策對功率半導(dǎo)體器件市場的支持力度非常大。在國家大力推動新能源、智能制造、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景下，功率半導(dǎo)體作為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)核心部件得到眾多政策利好。如在中國《十四五規(guī)劃》中提出集中優(yōu)勢資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的要求，各地方政府也紛紛出臺配套政策，鼓勵功率半導(dǎo)體企業(yè)加大研發(fā)投入、擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模、提升國產(chǎn)化率等。這些政策有助于國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展壯大，加速進(jìn)口替代進(jìn)程，從而在國內(nèi)市場和國際市場競爭中提升競爭力，對國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的擴(kuò)大和前景的提升產(chǎn)生積極影響。

(2) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范引導(dǎo)市場發(fā)展

功率半導(dǎo)體行業(yè)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范由相關(guān)政府部門和行業(yè)協(xié)會共同制定。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范一方面能夠保證市場上功率半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和安全性、兼容性等，促進(jìn)市場的健康有序發(fā)展；另一方面，當(dāng)國家制定一些能效標(biāo)準(zhǔn)時，如針對各類電器的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、新能源汽車的能耗標(biāo)準(zhǔn)等，這會促使企業(yè)在功率半導(dǎo)體的性能提升上進(jìn)行研發(fā)投入，從而拉動高性能功率半導(dǎo)體的市場需求，推動功率半導(dǎo)體器件的市場升級和發(fā)展。

3. 市場需求因素

(1) 新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造新需求

新興產(chǎn)業(yè)如新能源汽車、光伏發(fā)電、5G基站建設(shè)等的發(fā)展態(tài)勢極大地影響著功率半導(dǎo)體器件市場前景。以新能源汽車為例，汽車的電動化、智能化發(fā)展使得整車對于功率半導(dǎo)體器件的需求快速增長，從電池管理系統(tǒng)、電機(jī)控制系統(tǒng)到車載充電機(jī)等都需要大量功率半導(dǎo)體。據(jù)預(yù)測到2025年，中國新能源汽車所用IGBT市場規(guī)模將達(dá)到210億元。光伏產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模擴(kuò)張使得光伏逆變器對IGBT等功率半導(dǎo)體器件的需求持續(xù)增加，5G基站的建設(shè)則為功率半導(dǎo)體在通信電源領(lǐng)域開拓新的市場空間。新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來的新需求為功率半導(dǎo)體市場帶來廣闊的增長空間，使市場前景向好。

(2) 傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)升級換代帶來需求變化

在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)中，工業(yè)自動化升級、傳統(tǒng)家電的智能化升級等需求使得原有的功率半導(dǎo)體器件無法滿足新的生產(chǎn)或使用要求，從而帶來新的市場需求機(jī)遇。在工業(yè)領(lǐng)域，自動化生產(chǎn)線的升級要求更高效、更智能的功率半導(dǎo)體來實現(xiàn)電機(jī)調(diào)速、能量管理等功能；對于智能家居方面，智能空調(diào)、智能冰箱等設(shè)備需要功耗更低、功能更豐富的功率半導(dǎo)體來滿足新的性能標(biāo)準(zhǔn)。這種傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的升級不僅促使功率半導(dǎo)體器件企業(yè)對自身產(chǎn)品進(jìn)行升級換代，同時也為整個功率半導(dǎo)體器件市場帶來新的增長機(jī)會，更大程度地推動功率半導(dǎo)體市場不斷發(fā)展壯大。

功率器件芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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