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常見半導(dǎo)體材料英文名稱及其特性參數(shù)


在半導(dǎo)體日常交流中，常有材料英文名稱誤用發(fā)生。例如SiC，誤讀為Silicon Carbon，但這樣譯作中文應(yīng)為“碳硅”，而不是“碳化硅”。對應(yīng)碳化硅，體現(xiàn)“化”字的英文應(yīng)為Silicon Carbide。本文總結(jié)常見半導(dǎo)體材料的中英文，并列出主要半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)，以便查閱。

常見的構(gòu)成單質(zhì)半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體化學元素如圖1所示。

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圖1 常見半導(dǎo)體化學元素

圖1化學元素的中英文對照表如圖2所示。

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圖2 構(gòu)成半導(dǎo)體材料的元素名稱

由圖2中元素單獨或與其他元素組合構(gòu)成的半導(dǎo)體材料名稱及其主要特性參數(shù)如圖3所示。

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圖3 半導(dǎo)體材料名稱及其主要特性參數(shù)
第一代半導(dǎo)體材料：硅(Si)主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中，目前99%以上的集成電路和95%的半導(dǎo)體器件都由Si材料制作；諸(Ge)主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管及光電探測器中。
第二代半導(dǎo)體材料：適用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件、是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信、GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。
第二代半導(dǎo)體材料：具備應(yīng)用于光電器件、微波器件和電子電力器件的先天性能優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費電子、光伏、風電、半導(dǎo)體照明、導(dǎo)彈和衛(wèi)星等領(lǐng)域。

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