華天科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司存儲(chǔ)芯片封裝產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)。此外，華天科技披露已掌握毫米波雷達(dá)產(chǎn)品相關(guān)封裝技術(shù)。

據(jù)了解，華天科技基于3D Matrix3D晶圓級(jí)封裝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)集成封裝技術(shù)eSinC SiP，通過(guò)集成硅基扇出封裝，bumping技術(shù)，TSV技術(shù)，C2W和W2W技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)多芯片高密度高可靠性3D異質(zhì)異構(gòu)集成。

eSinC最大的優(yōu)勢(shì)還在于用硅基取代塑封料。以硅基作為載體，其熱膨脹系數(shù)、楊氏模量及熱導(dǎo)率均優(yōu)于塑封料，且硅載體與芯片材質(zhì)相同，因此eSinC的晶圓翹曲會(huì)明顯小于InFo-PoP，且eSinC產(chǎn)品的散熱性能要明顯好于InFo-PoP產(chǎn)品；同時(shí)，由于使用了硅基作為載體，兼容成熟的硅工藝，可以通過(guò)TSV工藝實(shí)現(xiàn)高密度3D互聯(lián)，并通過(guò)硅刻蝕工藝制備出用于嵌入芯片的硅基凹槽結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)芯片的3D集成。

在eSinC晶圓上貼裝芯片或兩個(gè)eSinC晶圓進(jìn)行堆疊，就成為了3D FO SiP封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同結(jié)構(gòu)的SiP封裝。而該技術(shù)與TSV和eSiFo一起，還構(gòu)成了華天科技的3D Matrix晶圓封裝平臺(tái)。

先進(jìn)芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。 

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。