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先進(jìn)封裝格局從封裝基板平臺(tái)過渡到硅演變和先進(jìn)封裝清洗介紹

隨著摩爾定律不斷進(jìn)步,當(dāng)前最小線寬已 達(dá)到幾納米,進(jìn)一步縮小特征尺寸變得非常困難?!俺侥柖伞敝铝τ谠?之前摩爾定律演進(jìn)過程中未完全開發(fā)的部分提升系統(tǒng)集成度。先進(jìn)封裝是實(shí) 現(xiàn)“超越摩爾定律”的重要方式。

受制于技術(shù)與開發(fā)成本的雙重難關(guān),通過先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。而系統(tǒng)級(jí)封裝、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)為行業(yè)技術(shù)演進(jìn)的關(guān)鍵路徑。

先進(jìn)封裝已成為提升產(chǎn)品價(jià)值的寶貴途徑。這種方法在擴(kuò)展(scaling)和功能(functional)路線圖方面都具有優(yōu)勢(shì),可滿足改進(jìn)集成的需求、助力進(jìn)入超越摩爾時(shí)代以及成為人工智能、5G 和高性能計(jì)算 (HPC) 的有影響力的驅(qū)動(dòng)因素。

電子硬件需要高效的計(jì)算能力、高速和高帶寬、低延遲、低功耗、增強(qiáng)的功能、內(nèi)存、系統(tǒng)級(jí)集成以及成本效益來支持這些要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠很好地滿足這些不同的性能要求和復(fù)雜的異構(gòu)集成需求,使其成為在各種封裝平臺(tái)上運(yùn)營(yíng)的企業(yè)蓬勃發(fā)展的最佳時(shí)機(jī)。

值得注意的是,半導(dǎo)體制造的價(jià)值開始從前端流程轉(zhuǎn)移到后端流程。這種轉(zhuǎn)變主要是由先進(jìn)封裝的重要性日益增加推動(dòng)的,這正在導(dǎo)致傳統(tǒng)上由 OSAT 主導(dǎo)的封裝和組裝業(yè)務(wù)發(fā)生轉(zhuǎn)變。英特爾等主要參與者正在戰(zhàn)略性地?cái)U(kuò)大其業(yè)務(wù),借助各種商業(yè)模式利用這個(gè)市場(chǎng),并逐漸蠶食 OSAT 的市場(chǎng)份額。憑借強(qiáng)大的前端能力,這些半導(dǎo)體巨頭正在積極參與先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

先進(jìn)封裝格局已經(jīng)演變,從封裝基板平臺(tái)過渡到硅。

先進(jìn)封裝在克服die和 PCB 之間的尺寸差距方面發(fā)揮著重要作用。雖然擴(kuò)展路線圖面臨挑戰(zhàn)(圖 1),只剩下三個(gè)重要參與者且進(jìn)展速度較慢,但在小芯片和異構(gòu)集成的推動(dòng)下,功能路線圖已經(jīng)獲得了關(guān)注。AP 技術(shù)大力支持這一功能路線圖,通過整合新功能并保持或增強(qiáng)性能,同時(shí)降低成本,為半導(dǎo)體產(chǎn)品增加價(jià)值。

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為了滿足消費(fèi)者需求并滿足異構(gòu)集成的需求,系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 等多芯片封裝解決方案正在開發(fā)中。


對(duì)下一代制造工具的投資,特別是die-to-die和die-to-wafer混合鍵合(Cu-Cu 直接鍵合),對(duì)于實(shí)現(xiàn) 2.5D/3D 堆疊和異構(gòu)集成至關(guān)重要。這些先進(jìn)的鍵合技術(shù)提供超細(xì)間距互連,消除了底部填充、UBM(Under Bump Metallurgy)和焊料電鍍的需要,從而顯著減小了外形尺寸。


材料開發(fā)也是一個(gè)優(yōu)先事項(xiàng),重點(diǎn)是新型介電材料、模塑料、底部填充材料和焊料互連,以滿足下一代硬件的苛刻要求。這些在混合鍵合和材料開發(fā)方面的投資和進(jìn)步對(duì)于實(shí)現(xiàn) 2.5D/3D 堆疊、異構(gòu)集成、小型化、更高的集成密度和改進(jìn)的信號(hào)性能至關(guān)重要。


此外,在微縮封裝特性方面取得突破需要半導(dǎo)體封裝行業(yè)主要供應(yīng)商的緊迫感。開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)和材料對(duì)于推動(dòng)先進(jìn)封裝市場(chǎng)的整體增長(zhǎng)和滿足半導(dǎo)體行業(yè)不斷變化的需求至關(guān)重要。


根據(jù) Yole Intelligence 的預(yù)測(cè),到 2025 年,先進(jìn)封裝的收入將超過傳統(tǒng)封裝(圖 3)。2022年,IC封裝市場(chǎng)總額將達(dá)到950億美元。其中,AP占440億美元,預(yù)計(jì)2022年至2028年復(fù)合年增長(zhǎng)率為10%,到2028年將達(dá)到786億美元。同時(shí),傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)同期復(fù)合年增長(zhǎng)率為4.15%, 預(yù)計(jì)到 2028 年,整個(gè)封裝市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 7.1%,價(jià)值分別達(dá)到 647 億美元和 1,430 億美元。image.png

盡管受經(jīng)濟(jì)放緩、通脹加劇、沖突、庫(kù)存不足等因素影響,2022年半導(dǎo)體行業(yè)同比下滑6%,但同期先進(jìn)封裝市場(chǎng)卻增長(zhǎng)了10%。AP市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2023年繼續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)率約為6%。這種增長(zhǎng)可歸因于上述技術(shù)趨勢(shì)和AP領(lǐng)域的關(guān)鍵投資。

總之,先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)正在取得顯著進(jìn)步和彈性增長(zhǎng)。先進(jìn)封裝技術(shù)能夠很好地滿足高性能計(jì)算、人工智能和 5G 不斷變化的需求。盡管半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)濟(jì)放緩,先進(jìn)封裝在2022年仍實(shí)現(xiàn)了10%的顯著收入增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2025年收入將超過傳統(tǒng)封裝。工藝、材料和設(shè)備方面的持續(xù)技術(shù)進(jìn)步對(duì)于先進(jìn)封裝未來的成功至關(guān)重要,從而實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成并滿足下一代硬件的需求。該行業(yè)的增長(zhǎng)和韌性預(yù)示著一個(gè)充滿希望的未來,其特點(diǎn)是關(guān)鍵參與者之間的持續(xù)合作和創(chuàng)新。

先進(jìn)芯片封裝清洗:

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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