相對于發(fā)達(dá)國家，我國功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對較晚，尚未出現(xiàn)能與國際巨頭相抗衡的企業(yè)。但近年來，為推動功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展，國家相關(guān)部門不斷加大扶持力度，國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)正駛?cè)氚l(fā)展快速道，整個行業(yè)正由中低端產(chǎn)品競爭轉(zhuǎn)向高性能的品質(zhì)競爭，發(fā)展空間廣闊。

其中，第三代功率半導(dǎo)體無疑是最為關(guān)注的重點細(xì)分領(lǐng)域之一，特別是在能源轉(zhuǎn)型的巨大需求之下，產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展。作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為是行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。作為產(chǎn)業(yè)鏈上的一員，澎芯半導(dǎo)體對SiC的市場增長前景充滿信心，將繼續(xù)加大投入，不斷推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級，為推動行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。

晶揚(yáng)電子項目總監(jiān) 鄭義：

當(dāng)前功率半導(dǎo)體分立器件行業(yè)面臨著挑戰(zhàn)和機(jī)遇，企業(yè)需要靈活應(yīng)對市場變化，關(guān)注技術(shù)創(chuàng)新，拓展新興市場，并在供應(yīng)鏈、成本控制等方面保持穩(wěn)定和競爭力。

從市場需求來看，行業(yè)周期下行通常意味整體經(jīng)濟(jì)狀況較弱，這可能導(dǎo)致消費(fèi)者和企業(yè)對電子產(chǎn)品的需求下降。功率半導(dǎo)體分立器件通常用于電源管理、能源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用，市場需求可能會受到影響。

鑒于目前供需關(guān)系變化、競爭態(tài)勢加劇，企業(yè)為了整合資源，增強(qiáng)競爭力，將進(jìn)一步加速產(chǎn)業(yè)整合并購的步伐，這將導(dǎo)致市場份額的重新分配，影響行業(yè)格局。

另一方面，盡管主流市場面臨沖擊，但可再生能源、電動汽車、工業(yè)自動化等新興行業(yè)的強(qiáng)力發(fā)展，將催生功率半導(dǎo)體分立器件的長期需求。而且，隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新，功率半導(dǎo)體器件的性能不斷提升，進(jìn)一步降低能耗、提高效率，應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，為各行業(yè)帶來了更多的創(chuàng)新和發(fā)展機(jī)遇。

面對龐大的市場空間，本土廠商取得了哪些重要突破？面臨哪些困局？

與此同時，經(jīng)過近幾年的不斷積累，國內(nèi)在硅器件的低壓SGT、高壓超結(jié)器件、IGBT及IGBT模塊等方面，不管是在技術(shù)、產(chǎn)品以及規(guī)模化產(chǎn)能上均取得突破性進(jìn)展。在SiC領(lǐng)域SBD達(dá)到國際先進(jìn)水平，平面MOSFET取得突破并進(jìn)入量產(chǎn)。

但在IGBT的高端應(yīng)用方面和溝槽SiC MOSFET方面積累的時間和經(jīng)驗都不足，需要夯實基礎(chǔ)，使之能滿足整機(jī)要求，穩(wěn)定量產(chǎn)，并不斷推進(jìn)技術(shù)迭代工作。澎芯半導(dǎo)體也在聯(lián)合合作單位，加快推進(jìn)溝槽SiC MOSFET的技術(shù)進(jìn)步。

晶揚(yáng)電子項目總監(jiān) 鄭義：

盡管取得了一些重要突破，但與國際領(lǐng)先企業(yè)相比，本土企業(yè)在一些高端技術(shù)領(lǐng)域、產(chǎn)業(yè)鏈完整度、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)等方面存在一定差距。面對廣闊的市場前景，國內(nèi)廠商在技術(shù)水平和市場份額的提升上仍有較大的發(fā)展空間。

隨著國內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，產(chǎn)品的質(zhì)量、性能、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)不斷提升，中國功率半導(dǎo)體器件對進(jìn)口的依賴將會減弱，國產(chǎn)替代效應(yīng)將持續(xù)顯現(xiàn)。未來，在國家政策支持、產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善、人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業(yè)有望進(jìn)一步向高端功率器件領(lǐng)域邁進(jìn)。