因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圓級(jí)芯片封裝方式,不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測(cè),而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種最新技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試,然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒,因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封裝方式,不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸,而符合行動(dòng)裝置對(duì)于機(jī)體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上,更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。
WLCSP的特性優(yōu)點(diǎn)
-數(shù)據(jù)傳輸路徑短、穩(wěn)定性高:
采用WLCSP封裝時(shí),由于電路布線的線路短且厚(標(biāo)示A至B的黃線),故可有效增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寛減少電流耗損,也提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
散熱特性佳
由于WLCSP少了傳統(tǒng)密封的塑料或陶瓷包裝,故IC芯片運(yùn)算時(shí)的熱能便能有效地發(fā)散,而不致增加主機(jī)體的溫度,而此特點(diǎn)對(duì)于行動(dòng)裝置的散熱問題助益極大。
WLCSP可以被分成兩種結(jié)構(gòu)類型:直接BOP(bump On pad)和重新布線(RDL)。
Fan-in: 如下流程為Fan-in的RDL制作過程。
晶圓芯片封裝清洗介紹
芯片封裝清洗:
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。