今年3月，《黨和國(guó)家機(jī)構(gòu)改革方案》（簡(jiǎn)稱《改革方案》）印發(fā)。《改革方案》要求，組建中央科技委員會(huì)。加強(qiáng)黨中央對(duì)科技工作的集中統(tǒng)一領(lǐng)導(dǎo)，統(tǒng)籌推進(jìn)國(guó)家創(chuàng)新體系建設(shè)和科技體制改革，研究審議國(guó)家科技發(fā)展重大戰(zhàn)略、重大規(guī)劃、重大政策，統(tǒng)籌解決科技領(lǐng)域戰(zhàn)略性、方向性、全局性重大問題，研究確定國(guó)家戰(zhàn)略科技任務(wù)和重大科研項(xiàng)目，統(tǒng)籌布局國(guó)家實(shí)驗(yàn)室等戰(zhàn)略科技力量?！陡母锓桨浮访鞔_，中央科技委員會(huì)辦事機(jī)構(gòu)職責(zé)由重組后的科學(xué)技術(shù)部整體承擔(dān)。

11月28日，龍芯中科發(fā)布新一代國(guó)產(chǎn)CPU龍芯3A6000。該處理器采用我國(guó)自主設(shè)計(jì)的指令系統(tǒng)和架構(gòu)，無需依賴國(guó)外授權(quán)技術(shù)，是我國(guó)自主研發(fā)、自主可控的新一代通用處理器，可運(yùn)行多種類的跨平臺(tái)應(yīng)用，滿足多類大型復(fù)雜桌面應(yīng)用場(chǎng)景。

8月29日，華為Mate60 Pro發(fā)售，搭載了其自研麒麟高端芯片9000S。麒麟9000S的出現(xiàn)，意味著華為在美國(guó)政府長(zhǎng)達(dá)四年多的封鎖下實(shí)現(xiàn)了重要的突破，通過自主科技創(chuàng)新解決了5G智能手機(jī)先進(jìn)5G芯片的國(guó)產(chǎn)化問題。

04.華為基本實(shí)現(xiàn)芯片14納米以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化

2月28日，在華為舉行的硬、軟件工具誓師大會(huì)上，華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍表示，華為芯片設(shè)計(jì)EDA工具團(tuán)隊(duì)聯(lián)合國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實(shí)現(xiàn)了14nm以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化，2023年將完成對(duì)其全面驗(yàn)證

作為芯片設(shè)計(jì)軟件，EDA工具可以進(jìn)行超大規(guī)模集成電路芯片的功能設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)、驗(yàn)證等。EDA本身極其復(fù)雜，對(duì)于實(shí)現(xiàn)芯片自主化具有非常重大的意義。EDA工具自主化，意味著半導(dǎo)體自主化的先決條件基本達(dá)成。

05.長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品

2023年11月28日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。

據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能，通過內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-dieECC)等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò)，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強(qiáng)穩(wěn)定性

09.23家半導(dǎo)體企業(yè)在A股成功上市

據(jù)Wind數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2023年12月26日，今年共有23家半導(dǎo)體企業(yè)在A股成功上市，主要集中于設(shè)備、制造領(lǐng)域。從金額來看，2023年新增IPO企業(yè)首發(fā)募資金額合計(jì)740.38億元。

半導(dǎo)體芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。