國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈不完整。做晶圓這塊國內(nèi)能夠量產(chǎn)的是碳化硅二極管，SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)的是三安光電、瑞能、泰科天潤。士蘭和華潤目前的進(jìn)度還沒有量產(chǎn)（還在建設(shè)產(chǎn)線）；

（1）OBC強(qiáng)調(diào)充電效率（超過12KW、22KW）的高端車型，已經(jīng)開始批量采用SiC MOSFET，因為碳化硅充電效率比較高，充電快又剩電；

（2）車載主驅(qū)逆變的話主要用在高端車型，保時捷Taycan、蔚來ET7，效率比較高可以提升續(xù)航，功率密度比較高；20-30萬中段車型主要是Tesla model 3 和比亞迪漢在用SiC MOS模塊，因為特斯拉、比亞迪是垂直一體化的整車廠（做電控、做電池、又做整車），所以可以清楚知道效能提升的幅度；

車規(guī)封裝有四代產(chǎn)品：

（1）第一代是單面間接水冷：模塊采用銅底板，模塊下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，打在散熱器底板上，散熱器下面再通水流，因此模塊不直接跟水接觸。這種模塊主要用在經(jīng)濟(jì)型方案，如A00、物流車等；這個封裝模塊國內(nèi)廠商比亞迪、斯達(dá)、宏微等都可以量產(chǎn)，從工業(yè)級封裝轉(zhuǎn)過來沒什么技術(shù)難度。

（2）第二代是單面直接水冷：會在底板上長散熱齒（Pin Fin結(jié)構(gòu)）,在散熱器上開一個槽，把模塊插進(jìn)去，下面直接通水，跟水直接接觸，周圍封住，散熱效率和功率密度會比上一代提升30%以上；這種模塊主要用在A00和A級車以上，乘用車主要用這種方案。國內(nèi)也是大家都可以量產(chǎn)，細(xì)微區(qū)別在于斯達(dá)、中車用的銅底板，比亞迪用的鋁硅鈦底板，比亞迪這個底板更可靠，但是散熱沒有銅好。他是講究可靠性，犧牲了一些性能。

（3）第三代是雙面散熱：模塊從灌膠工藝轉(zhuǎn)為塑封工藝，兩面都是間接水冷，散熱跟抽屜一樣把模塊插進(jìn)去；這種模塊最早是日系Denso做得（給豐田普銳斯），國內(nèi)華為塞力斯做的車，也是采用這個雙面水冷散熱的方案。國外安森美、英飛凌、電樁都是這個方案，國內(nèi)是比亞迪（2016年開始做）和斯達(dá)在做，但是對工藝要求比較高（散熱器模塊封裝工藝比較復(fù)雜，芯片需要特殊要求，要求芯片兩面都能焊，所以芯片上表面還需要電鍍），國內(nèi)比亞迪、斯達(dá)距離量產(chǎn)還有一段距離（一年左右）；

（4）第四代是雙面直接水冷：兩面銅底加上長pinfin雙面散熱，目前全球只有日本的日立可以量產(chǎn)，給奧迪etron、雷克薩斯等高端車型在供應(yīng)，國內(nèi)這塊沒有量產(chǎn)，還處于技術(shù)開發(fā)階段。

第一比亞迪，國內(nèi)最早開始做的；

（1）2008年收購了寧波中瑋的IDM晶圓廠開始自己做，2010-2011年組織團(tuán)隊開始開發(fā)車載IGBT；2012年導(dǎo)入自家比亞迪車，2015年自研的IGBT開始上量。

（2）2015年以前，比亞迪80%芯片都是外購英飛凌的，然后封裝用在自己的車上，比如唐、宋等；

（3）2015年之后自產(chǎn)的IGBT 2.5代芯片出來，80%芯片開始用自己，20%外購；

（4）2017-2018年IGBT 4.0代芯片出來以后，基本100%用自己的芯片。他現(xiàn)在IGBT裝車量累計最多，累計100萬臺用自己的芯片，2017年開始往外推廣自己的芯片和模塊，但是，比亞迪IGBT 4.0只能對標(biāo)英飛凌IGBT 2.5為平面型+FS結(jié)構(gòu)，比國內(nèi)企業(yè)溝槽型的芯片性能還差一些（對比斯達(dá)、宏微、士蘭微的4代都落后一代；導(dǎo)致飽和壓降差2V，溝槽型的薄和壓降差1.4V，所以平面結(jié)構(gòu)的損耗大，最終影響輸出功率效率）。所以，目前外部采用比亞迪IGBT量產(chǎn)的客戶只有深圳的藍(lán)海華騰，做商用物流車；乘用車其他廠商沒用一個是性能比較落后，另一個是比亞迪自研的模塊是定制化封裝，比目前標(biāo)準(zhǔn)化封裝A71、A72等模塊不一樣；

（5）2020年底比亞迪最新的IGBT 5.0推出來，能對標(biāo)國內(nèi)同行溝槽型的芯片（對標(biāo)英飛凌4.0代IGBT，還有斯達(dá)、士蘭微的溝槽型產(chǎn)品），就看他今年推廣新產(chǎn)品能不能取得進(jìn)展了。