在單個封裝中集成多個芯片或芯粒的必要性引起了人們對先進封裝技術(shù)開發(fā)的極大關(guān)注，半導體工程師和物理學家投入了大量精力進行研發(fā)。在更小的占地面積內(nèi)容納更多數(shù)量的硅芯片需要垂直和水平堆疊，包括額外的引線鍵合、密集封裝的小型凸塊、更高的布線復雜度以及來自相鄰信號路徑的潛在干擾。各種封裝技術(shù)的出現(xiàn)可以解決這些設計挑戰(zhàn)，從而推進 HI的發(fā)展。下面討論一些常見的封裝技術(shù)：

1）傳統(tǒng)封裝：傳統(tǒng)封裝裝是指已廣泛使用的傳統(tǒng)封裝方法。這些技術(shù)包括雙列直插式封裝 (DIP)、四角扁平封裝 (QFP) 和小外形集成電路 (SOIC)。雖然傳統(tǒng)封裝很好地服務于該行業(yè)，但它在尺寸、功耗和信號完整性方面存在一定的局限性。然而，傳統(tǒng)封裝仍然在特定領(lǐng)域得到應用，例如低成本設備或性能要求較低的應用。

2）倒裝封裝：為了增強芯片的性能和效率并減少互連，需要將芯片放置得更近。在倒裝芯片球柵陣列 (FCBGA) 的封裝中，芯片或者天線放置在封裝的表面上，數(shù)字、模擬或射頻IC以單片方式集成到球柵陣列基板的底部。這種方法可以提高電源效率并提高數(shù)據(jù)傳輸速率，然而采用這種方法后，熱管理成為新的挑戰(zhàn)。為了改善連接性并減少寄生，引入了微凸塊。

3）晶圓級封裝 (WLP)：晶圓級封裝 (WLP) 是標準芯片封裝方法之一，其中薄金屬層用于創(chuàng)建再分布層 (RDL)。此外，扇出晶圓級封裝 (FOWLP) 已成為毫米波微電子封裝的流行方法，F(xiàn)OWLP 通過減小封裝的尺寸和厚度，實現(xiàn)了無基板設計，從而增強了射頻性能并提供了更大的設計靈活性。然而，由于使用具有不同熱膨脹系數(shù) (CTE) 的材料，翹曲對 FOWLP 提出了重大挑戰(zhàn)。為了解決這個問題，嵌入式晶圓級球柵陣列（eWLB）已成為一種流行的的 FOWLP 技術(shù)，實現(xiàn)以合理的成本進行大批量生產(chǎn)。

4）2.5D 封裝：在 2.5D 封裝中，單獨的中介層位于芯粒和封裝基板之間。封裝應用的流行趨勢主要集中在將尖端邏輯和存儲元件集成到單個封裝中。在這種情況下，內(nèi)插器的主要功能是促進這些設備之間的高速數(shù)據(jù)通信。

2.5D 封裝的一個很好的例子是臺積電開發(fā)的晶圓上芯片 (CoWoS)。在 CoWoS 中，多個小芯片或芯片堆疊在硅中介層頂部，硅中介層使用微凸塊或硅通孔 (TSV) 連接到基板 [19]。最開始使用倒裝芯片或引線接合技術(shù)將芯片接合到中介層，此后將中介層附著到基板上。中介層面向芯片的一側(cè)通常包括多個金屬層或 RDL，它們將來自芯粒上的 I/O 焊盤的電信號分配到硅中介層上的相應焊盤。在集成不同的芯粒（例如存儲器、處理器和基于 MEMS 的傳感器）時，基于中介層的 2.5D 封裝特別有價值。多家公司開發(fā)了自己的 2.5D 封裝解決方案，包括內(nèi)存、處理器和基于 MEMS 的傳感器。中介層也采用了多種材料，包括IBM的直接鍵合異構(gòu)集成（DBHi）、臺積電的本地硅互連（LSI）和日月光的堆疊硅橋扇出基板上芯片（sFO CoS）等。