什么是先進封裝：將芯片間通信問題提升至1級封裝層級的技術(shù) 

何為先進封裝？要理解這個問題首先要理解何為封裝。

封裝技術(shù)的定義為，在半導體開發(fā)的最后階段，將一小塊材料（硅晶芯片，邏輯和存儲器）包裹在支撐外殼中，以防止物理損壞和腐蝕，并允許芯片連接到電路板的工藝技術(shù)。根據(jù)該定義，我們可以提煉出封裝的兩大關(guān)鍵作用：1）解決芯片如何與外界連接的問題；2）芯片隔絕保護與支撐。

一、什么是2.5D  封裝？

二、3D封裝的特點

三、先進封裝新概念-3.5D  封裝的特點

這是傳統(tǒng)的凸點互連遠遠無法達到的，因此，在高密度的3D互連中，凸點最終會消失，如下圖所示，這一點也是我在以前的文章中闡述過的。

目前來說，3.5D就是3D+2.5D，再加上Hybrid Bonding技術(shù)的加持。

硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via，TSV）是通過導穿硅晶圓或芯片實現(xiàn)多層垂直互連的技術(shù)。目前 TSV 技術(shù)主要應(yīng)用于 3 個方向，即垂直背面連接、2.5D 封裝、3D 封裝，其中垂直背面連接主要應(yīng)用在 CIS、SiGe 功率放大器，技術(shù)難度相對較低；2.5D 中 TSV 的應(yīng)用體現(xiàn)在中介層（interposer）的硅通孔制作，服務(wù)于用作多芯片間（例如 GPU 與存儲之間）水平連接的載體，技術(shù)難度較高；3D 封裝中 TSV 技術(shù)的應(yīng)用體現(xiàn)在芯片上直接進行硅通孔制作，目前常見于高帶寬存儲芯片（如 HBM），技術(shù)難度高。從當前主流的高端先進封裝方案來看，中介層和芯片內(nèi)部硅通孔技術(shù)都已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，特別是在解決高帶寬存儲（存儲間通信）、存儲與算力芯片間通信的問題上起到關(guān)鍵作用。 

四、先進封裝清洗劑介紹

芯片級封裝在nm級間距進行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進封裝清洗劑、半導體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過程整個領(lǐng)域。合明科技先進封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級封裝清洗劑、SIP系統(tǒng)級封裝清洗劑、倒裝芯片清洗劑、POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。