因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
一、先進(jìn)封裝功能特點(diǎn)
先進(jìn)封裝技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的一項(xiàng)重要創(chuàng)新,它通過多種創(chuàng)新技術(shù)來提高集成電路(IC)的性能。以下是先進(jìn)封裝的一些關(guān)鍵功能特點(diǎn):
1. 提升性能和密度
先進(jìn)封裝技術(shù)可以針對特定的應(yīng)用需求,提供不同的I/O密度和信號傳輸速度。例如,高帶寬存儲器(HBM)和3D堆疊動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(3DS)等技術(shù),可以顯著提升內(nèi)存帶寬和系統(tǒng)集成度。
2. 靈活性和可擴(kuò)展性
系統(tǒng)級封裝(SiP)是一種可以將多個IC或“小芯片”集成到單個模塊中的封裝類型。這種封裝方式可以在設(shè)計和制造方面提供顯著的靈活性,因?yàn)槊總€小芯片都可以使用最適合其功能的工藝技術(shù)來制造。
3. 節(jié)能和散熱優(yōu)化
先進(jìn)封裝技術(shù)如WLCSP和扇出封裝等,可以實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸、更低的功耗和改進(jìn)的熱管理。這對于5G通信和其他高性能應(yīng)用來說尤為重要。
4. 降低成本和提高效率
晶圓級封裝(WLCSP)可以在晶圓上直接封裝IC,從而消除了單獨(dú)的芯片分割和封裝步驟。這種方法可以提高封裝效率,節(jié)省成本,并且適用于尺寸、重量和性能至關(guān)重要的移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備。
5. 支持異構(gòu)集成
2.5D/3D堆疊封裝技術(shù)可以將多顆die封裝在一起,形成三維結(jié)構(gòu)。這種異構(gòu)集成的方法可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度、更高的性能和更小的外形尺寸,非常適合應(yīng)對人工智能、5G和HPC應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)。
6. 創(chuàng)新技術(shù)的應(yīng)用
例如,倒裝芯片BGA/CSP解決方案提供更小的占地面積、更短的互連路徑、更高的I/O密度以及更高的電氣性能;Siinterposer作為一種半導(dǎo)體芯片工藝制造的中介層,可以提供非常細(xì)的布線密度,使得die與die之間可以堆疊得更緊密。
總結(jié)
先進(jìn)封裝技術(shù)通過提升性能和密度、提供靈活性和可擴(kuò)展性、優(yōu)化節(jié)能和散熱、降低成本和提高效率以及支持異構(gòu)集成等方法,正在推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。這些技術(shù)不僅幫助芯片制造商從最新芯片設(shè)計中榨取最大馬力,也為終端用戶提供更快、更智能的電子設(shè)備。
先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝是集成電路芯片封裝的兩種不同技術(shù),它們在封裝效率、封裝尺寸、可靠性等方面存在明顯的差異。
傳統(tǒng)封裝通常是指先將圓片切割成單個芯片,再進(jìn)行封裝的工藝形式。主要包含SIP、DIP、SOP、SOT、TO、QFP、QFN、DFN、BGA等封裝形式。封裝形式主要是利用引線框架作為載體,采用引線鍵合互連的形式。
先進(jìn)封裝主要包括倒裝類(FlipChip,Bumping),晶圓級封裝(WLCSP,FOWLP,PLP),2.5D封裝(Interposer)和3D封裝(TSV)等。先進(jìn)封裝技術(shù)于上世紀(jì)90年代出現(xiàn),通過以點(diǎn)帶線的方式實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián),實(shí)現(xiàn)更高密度的集成,大大減小了對面積的浪費(fèi)。
· 封裝效率:傳統(tǒng)封裝的封裝效率(裸芯面積/基板面積)較低,存在很大改良的空間。舉例來說,QFP封裝效率最高為30%,那么70%的面積將被浪費(fèi)。DIP、BGA浪費(fèi)的面積會更多。而先進(jìn)封裝以更高效率、更低成本、更好性能為驅(qū)動。
· 封裝尺寸:先進(jìn)封裝可以提升芯片產(chǎn)品的集成密度和互聯(lián)速度,降低設(shè)計門檻,優(yōu)化功能搭配的靈活性。它可以使芯片尺寸達(dá)到微型化的極限。
· 可靠性:先進(jìn)封裝提高了可靠性(倒裝芯片可減少2/3的互聯(lián)引腳數(shù)),提高了散熱能力(芯片背面可以有效進(jìn)行冷卻)。此外,對于高密度的互聯(lián)及細(xì)間距的應(yīng)用,銅柱是一種新型的材料。焊錫球在連接的時候會擴(kuò)散變形,而銅柱會很好的保持其原始形態(tài),這也是銅柱能用于更密集封裝的原因。
· 成本:先進(jìn)封裝可以縮短設(shè)計和生產(chǎn)周期,降低成本。
隨著摩爾定律逐漸放緩,后摩爾時代到來,先進(jìn)封裝因能同時提高產(chǎn)品功能和降低成本,逐漸成為后摩爾時代的主流發(fā)展方向。
綜上所述,先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝的主要區(qū)別在于封裝效率、封裝尺寸、可靠性和成本等方面。先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展是為了滿足集成電路芯片在高密度、高速度等方面的最新需求。
三、先進(jìn)封裝芯片封裝清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
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