清洗工藝

• RCA-1清洗（去除有機(jī)污染物）：使用氨水、過氧化氫和去離子水的混合溶液。這個步驟主要去除晶圓表面的有機(jī)污染物、顆粒和金屬離子。

• RCA-2清洗（去除金屬離子）：使用鹽酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液。主要去除金屬離子和一些難以去除的無機(jī)污染物。

b. Piranha清洗

使用硫酸和過氧化氫的混合溶液。Piranha清洗非常有效地去除有機(jī)物和表面污染物，常用于初步清洗。

c. HF清洗（氫氟酸清洗）

使用稀釋氫氟酸溶液，主要用于去除氧化層和一些硅表面污染物。

d. Megasonic清洗

利用超聲波（通常在MHz范圍內(nèi)）產(chǎn)生的空化效應(yīng)，能夠高效地去除微小顆粒和其他污染物，適用于敏感的表面清洗。

e. 氣相清洗

使用氣體或氣溶膠進(jìn)行清洗，典型方法包括使用臭氧和過氧化氫蒸汽。此方法適用于去除一些特定的污染物，并且對表面損傷較小。

f. 噴淋清洗

通過高壓噴淋去離子水或清洗液體來清洗晶圓表面，通常與旋轉(zhuǎn)裝置結(jié)合使用以增加清洗效果。

g. 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后的清洗

CMP過程后，需要進(jìn)行嚴(yán)格的清洗以去除拋光后的殘留物和顆粒。通常使用氨水和過氧化氫的混合溶液。

h. 去離子水沖洗和干燥

最后的步驟通常是使用高純度的去離子水進(jìn)行沖洗，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥或其他干燥技術(shù)（如Marangoni干燥）進(jìn)行干燥，以避免水漬和斑點(diǎn)的形成。

總之，晶圓準(zhǔn)備是半導(dǎo)體制造過程中關(guān)鍵的一步，因?yàn)樗鼮橹圃旄哔|(zhì)量的電子器件奠定了基礎(chǔ)。通過仔細(xì)控制晶體生長、晶圓切割、拋光和清洗過程，制造商可以確保其晶圓滿足生產(chǎn)可靠、高性能半導(dǎo)體器件所需的嚴(yán)格要求。