因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
3D封裝技術(shù),確實(shí)如您所說,又被稱為立體封裝技術(shù)。這是一種在二維封裝基礎(chǔ)上演變而來的高密度封裝技術(shù),它向空間發(fā)展,旨在提升封裝密度、降低成本,并減小芯片間互連導(dǎo)線的長(zhǎng)度,從而提升器件的運(yùn)行速度。
與傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)相比,3D封裝技術(shù)具有多方面的優(yōu)點(diǎn):
優(yōu)點(diǎn) | 描述 |
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高封裝密度 | 通過垂直堆疊芯片,可以在有限的面積內(nèi)增加更多的芯片,從而提高封裝密度。 |
減少面積 | 由于芯片可以在高度上進(jìn)行延伸,3D封裝可以在保持封裝體面積不變的情況下增加芯片數(shù)量。 |
提高速度 | 由于減少了芯片之間的導(dǎo)線長(zhǎng)度,信號(hào)傳輸速度得以提升,降低了信號(hào)時(shí)延與線路干擾,從而提升了電氣性能。 |
降低成本 | 高效的組裝密度和減少的連接點(diǎn)數(shù)降低了成本。 |
散熱設(shè)計(jì) | 雖然目前尚未有最優(yōu)的散熱設(shè)計(jì)方案,但隨著技術(shù)的進(jìn)步,未來有望解決這一問題。 |
3 D 封裝技術(shù)
疊層3D 封裝符合MCP 的技術(shù)要求
與其他二維多芯片封裝(2 D -M C P )不同,3 D 多芯片封裝(3 D - M C P )為垂直方向上的堆疊。雖然M C M 組裝也是多芯片封裝,但其基板面積與芯片面積的比例過大,封裝效率相對(duì)較低。盡管3D 封裝并不是一種新概念,但它一直到近幾年來才得以廣泛應(yīng)用,究其原因主要是3D 封裝的成本較高。隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展,無線通信設(shè)備在重量輕、體積小的同時(shí)要求功能完備。消費(fèi)類電子新品如M P 3 和雙模式數(shù)碼相機(jī)(D S C )要求芯片體積小、耗電少、存儲(chǔ)速度快??梢哉f,一方面便攜式電子信息產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)迫切需要在提高芯片運(yùn)行速度的同時(shí),于較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)多種功能及更大的存儲(chǔ)容量,而原有的傳統(tǒng)封裝已經(jīng)不能滿足這一要求;另一方面隨著芯片工作頻率的上升,過長(zhǎng)的引線會(huì)導(dǎo)致芯片間的數(shù)據(jù)傳輸速度變慢,目前芯片的最高頻率已超過1 GHz,而PCB 上的信號(hào)傳輸速度通常不超過500 MHz,這對(duì)于高性能的數(shù)字信號(hào)處理器(D S P )來說,適合外圍設(shè)備的低頻率只能采用分頻的方法。而在系統(tǒng)封裝(SIP)中若采用3D 封裝技術(shù),則將微處理器與存儲(chǔ)器整合在一起,這就顯著縮短了連線長(zhǎng)度,在芯片尺寸減小的情況下,顯著提升了芯片工作性能。
疊層式3D封裝的性能特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)
疊層3D封裝方式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
3D 封裝擁有無可比擬的組裝密度,組裝效率高達(dá)200% 以上,從而使單個(gè)封裝體可以實(shí)現(xiàn)更多的功能,并使外圍設(shè)備PCB的面積進(jìn)一步縮小。體積內(nèi)效率得到提高,且芯片間導(dǎo)線長(zhǎng)度顯著縮短,信號(hào)傳輸速度得以提高,減少了信號(hào)時(shí)延與線路干擾,進(jìn)一步提高了電氣性能。另外,3 D 封裝體內(nèi)部單位面積的互連點(diǎn)數(shù)大大增加,集成度更高,外部連接點(diǎn)數(shù)也更少,從而提高了IC 芯片的工作穩(wěn)定性。
裸片堆疊和封裝堆疊各自的性能特點(diǎn)
疊層式3D 封裝可以通過兩種方式來實(shí)現(xiàn),這兩種方式各有其優(yōu)缺點(diǎn)。一種是裸片堆疊,采用該方式可以保持封裝體面積的大小,在高度上進(jìn)行延拓,而高度(厚度)的增加很小。其優(yōu)點(diǎn)顯而易見,封裝體積小,但其結(jié)構(gòu)決定了該封裝方式的致命弱點(diǎn),當(dāng)堆疊中一層電路出現(xiàn)故障時(shí),整個(gè)芯片都將出現(xiàn)故障。另一種方式是封裝堆疊,目前這種封裝已有多種形式,它能堆疊不同廠商的數(shù)/模混合IC的裸片,甚至可以在封裝工藝實(shí)施前進(jìn)行檢測(cè)和預(yù)燒。其組裝過程類似于裸片堆疊,在PCB 裝配過程中需要設(shè)計(jì)另外的表面貼裝堆疊工藝。
綜上所述,3D封裝技術(shù)因其能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更高效的信號(hào)傳輸,被認(rèn)為是未來封裝技術(shù)的一個(gè)重要發(fā)展方向。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們可以期待3D封裝將在未來的電子產(chǎn)品中發(fā)揮更大的作用。
3D先進(jìn)芯片封裝清洗介紹
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。