因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
隨著摩爾定律逐漸進(jìn)入其發(fā)展軌跡的后半段,芯片產(chǎn)業(yè)越來越依賴先進(jìn)的封裝技術(shù)來推動性能的飛躍。在封裝技術(shù)由平面走向更高維度的2.5D和3D時,互聯(lián)技術(shù)成為關(guān)鍵中關(guān)鍵。面對3D封裝日益增長的復(fù)雜性和性能要求,傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔(TSV)鍵合等,正逐步顯露其局限。在這種背景下,混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力,正成為行業(yè)的新寵。
四大主要的互聯(lián)技術(shù)
混合鍵合技術(shù)具有以下特點(diǎn):
1)它允許不同的芯片層,如存儲器層和邏輯層,在無需通過硅通孔(TSV)的情況下直接互連,顯著提高信號傳輸速度并降低功耗;
2)通過芯片和晶圓之間的直接銅對銅鍵合,最大限度地縮短導(dǎo)線長度;
3)與傳統(tǒng)TSV技術(shù)相比,混合鍵合減少了層間物理連接的需求,使芯片設(shè)計更緊湊,有利于實(shí)現(xiàn)更高性能和密度。據(jù)悉,在應(yīng)用混合鍵合時,1平方毫米的面積內(nèi)可連接10,000至100,000個通孔;
4)混合鍵合還可減少芯片內(nèi)部的機(jī)械應(yīng)力,提高產(chǎn)品的整體可靠性,同時支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和更低的能耗。
SoIC與SoC的外觀對比
簡而言之,通過混合鍵合技術(shù),他們能夠制造出既高效又小巧的高層內(nèi)存芯片?;旌湘I合也被稱為是“夢想封裝技術(shù)”。
混合鍵合的HBM2E可靠性測試結(jié)果
小結(jié)
芯片封裝清洗:
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。